Революцию в компактных и мощных блоках питания совершил нитрид галлия (GaN). Однако GaN требует дорогой и сложной эпитаксиальной подложки (выращивания тонких пленок), что ограничивает снижение его стоимости при переходе к очень высоким напряжениям. Кремниевые MOSFET, в свою очередь, достигли физического предела эффективности и сильно греются.

Что нового:

4
+
Сделано с NoNaMe